Samsung 850 Evo 120Gb mSata

Samsung 850 Evo 120Gb mSata
Plataforma:
PC PC GAMING
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Agotado

78 '95
790 Puntos

Descripción

La increible tecnología de Samsung implementada en los discos duros Msata para portátiles, gracias a sus velocidades y a su bajo consumo tu portatil volará


V-NAND Tecnología 3D

Innovadora 3D V-NAND arquitectura de memoria Flash de Samsung breaksthrough densidad, limitaciones de rendimiento y resistencia de la arquitectura NAND plana convencional de hoy.Samsung 3D V-NAND apila 32 capas de células verticalmente que resulta en una mayor densidad y un mejor rendimiento utilizando una huella más pequeña.


Tecnología TurboWrite

Lograr el rendimiento de lectura / escritura increíble para maximizar su experiencia informática diaria con la tecnología TurboWrite de Samsung.

Usted puede obtener hasta 2 veces velocidades de lectura y escritura más rápida al azar que el galardonado Samsung 840 EVO. El 850 EVO proporciona líder en su clase de rendimiento * en lectura secuencial (540MB / s) y escribir (520MB / s) velocidades. Además, el aumento de rendimiento optimizado azar en todo QD para un mejor desempeño en el mundo real.
Modo RAPID

Software Mago de Samsung permite a modo de RAPID para hasta 2 veces el rendimiento más rápido * mediante la utilización de la memoria del PC sin usar (DRAM) como caché de alta velocidad.La nueva versión de Samsung Mago soporta hasta una caché de 4 GB en un sistema con 16 GB de memoria DRAM.
Resistencia mejorada y fiabilidad

El 850 EVO duplica la resistencia y la fiabilidad * ** en comparación con la generación anterior 840 EVO ** y cuenta con una garantía líder en su clase *** 5 años. Con una mayor fiabilidad a largo plazo, el 850 EVO asegura un rendimiento fiable a largo plazo de hasta un 30% más que la generación anterior 840 EVO.

CARACTERÍSTICAS

  • Velocidad de lectura: 540 MB/s
  • Ancho: 3 cm
  • Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
  • Interfaces de disco de estado sólido: mSATA
  • Disco de estado sólido, capacidad: 120 GB
  • Soporte S.M.A.R.T.: Si
  • Soporte TRIM: Si
  • Escritura aleatoria (4KB): 88000 IOPS
  • Peso: 9,07 g
  • Altura: 5,08 cm
  • Velocidad de transferencia de datos: 6 Gbit/s
  • Profundidad: 3,81 cm
  • Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
  • Velocidad de escritura: 520 MB/s
  • Interno: Si
  • Escritura secuencial: Si
  • Voltaje de operación: 5 V
  • calificación TBW: 75
  • Lectura aleatoria (4KB): 97000 IOPS

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